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电子元器件详细资料 » IC[25802] » NSBC113EDXV6T1G
型号:NSBC113EDXV6T1G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-563,SOT-666描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧2221k
电阻器_发射极(R2)111欧2221k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)3 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 5mA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市煌盛达科技有限公司黄086-0755-89367839
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市瑞联电子科技有限公司张12345678
深圳德田科技有限公司李小姐86-0755-83254070/18680328178
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市欧和宁电子有限公司李小姐 0755-29275935
上海金庆电子科技京城市场部陈小姐 付先生086-021-51872165/51872561
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